11 - High‐field phenomena in SiC material and devices/ClipID:49091 vorhergehender Clip nächster Clip

Schlüsselworte: Symposium Silicon carbide Chair of Applied Physics Lehrstuhl für Angewandte Physik Anniversary
Aufnahme Datum 2023-09-15

Kurs-Verknüpfung

Symposium Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform - 75th Anniversary of the Chair of Applied Physics

Lehrende(r)

Prof. Dr. Tsunenobu Kimoto

Zugang

IdM-Anmeldung / Passwort

Sprache

Englisch

Einrichtung

Lehrstuhl für Angewandte Physik

Produzent

Lehrstuhl für Angewandte Physik

Nächstes Video

12 - Transition to green energy – The role of SiC based components in power electronics
SiC-QCP
Dr. Peter Friedrichs
2023-09-15
IdM-Anmeldung / Passwort
13 - Color centers in a glister of a gem stone: a theoretical perspective on defects in SiC from doping to quantum applications
SiC-QCP
Prof. Dr. Michel Bockstedte
2023-09-15
IdM-Anmeldung / Passwort
14 - The TS center in 4H‐SiC
SiC-QCP
Johannes Lehmeyer
2023-09-15
IdM-Anmeldung / Passwort
15 - Sensing in SiC devices using silicon vacancy created by particle beam writing technique
SiC-QCP
Dr. Takeshi Ohshima
2023-09-15
IdM-Anmeldung / Passwort
16 - Atomic monolayers on SiC as 2D quantum materials
SiC-QCP
Prof. Dr. Ralph Claessen
2023-09-15
IdM-Anmeldung / Passwort

Mehr Videos aus der Kategorie "Naturwissenschaftliche Fakultät"

7 - Theoretische Physik 3: Quantenmechanik
2024-05-07
IdM-Anmeldung
geschützte Daten  
6 - Mathematik für Data Science 2 / Physikstudierende B
2024-05-07
Studon
geschützte Daten  
9 - Mathematik für Ingenieure A2
2024-05-07
IdM-Anmeldung
geschützte Daten  
6 - Mathematik für Ingenieure C2
2024-05-06
Studon
geschützte Daten  
13 - Laser-basierte Teilchenbeschleuniger auf einem Chip – ein neues Werkzeug für die Strahlenmedizin?
2024-05-07
Frei
freie Daten  
3 - Tafelübung zu Mathematik für Data Science 2 / Physikstudierende B
2024-05-06
Studon
geschützte Daten